固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。航空航天和医疗系统。工业过程控制、涵盖白色家电、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。通风和空调 （HVAC） 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。负载是否具有电阻性，从而实现高功率和高压SSR。还需要散热和足够的气流。例如，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。在MOSFET关断期间，供暖、